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消息称美光将斥资至多八千亿日元新建广岛EUV光刻DRAM内存晶圆厂

  IT之家 5 月 28 日消息,据日媒《日刊工业新闻》报道,美光将斥资 6000~8000 亿日元(IT之家备注:当前约 277.2~369.6 亿元人民币),在日本广岛建设新的 DRAM 内存晶圆厂。

  该晶圆厂将引进 EUV 光刻机,计划于 2026 年初动工,有望于 2027 年末正式投产。

  报道指,美光原计划在今年就启动新晶圆厂的运行,这样就能在 2025 年量产后的第一时间扩充 1-gamma DRAM 制造能力。

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  但由于此前半导体行业,尤其是存储领域的衰退,美光对投资计划进行了调整,放缓了产能扩张的速度。

  美光建设新厂的部分开支将来源于日本经济产业省的补贴,这笔资金至高可达 1920 亿日元(当前约 88.7 亿元人民币)。


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